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碳化硅零部件——半导体设备中的核心部件
在了解碳化硅零部件之前，需要先介绍一下“碳化硅（SiC）”，这是一种用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成的典型的二元化合物半导体材料，具备良好的耐高温、耐腐蚀、耐磨、高温力学性、抗氧化性等特性。碳化硅零部件就是以碳化硅及其复合材料为主要材料制成的设备零部件。结合碳化硅优异的性能，碳化硅零部件被广泛应用于外延生长、等离子体刻蚀、快速热处理、薄膜沉积、氧化/扩散、离子注入等主要半导体制造环节的设备中。
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中国超纯超细氧化铝粉体行业发展趋势及竞争策略研究报告
超细氧化铝粉体是一种超细白色粉体，超细氧化铝粉体粒度细且均匀，具有优于常规材料的光、热、磁、电等特性，是现代化工附加值最高、应用最广泛的高端材料之一。通常超纯超细氧化铝粉体指最低纯度为99.99%的超细氧化铝粉体.《中国超纯超细氧化铝粉体行业发展趋势及竞争策略研究报告》分析显示：
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低温烧结氧化铝陶瓷技术详解
氧化铝陶瓷是以α-Al2O3为主晶相的结构陶瓷，由于其具有高强度、高硬度、耐高温、耐腐蚀、化学稳定性良好等优异的性能，而且原料来源广泛、价格低廉，在电子、航空、机械、纺织、化工、建筑等领域得到了非常广泛的应用。然而，由于Al2O3的熔点高达2050℃，氧化铝陶瓷的烧结温度也较高，这就需要消耗大量的能源，而且对设备的要求也较高。从节约资源、降低能耗、减少成本的角度考虑，氧化铝陶瓷的低温烧结技术成为了一项重要的研究课题。
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氧化铝粉体性能对流延法制备氧化铝陶瓷基片有什么影响？
氧化铝陶瓷材料有着诸多优异性能，如强度高、耐磨损、耐高温高压、电阻率大、价格便宜等，广泛应用于电子、机械以及化工等领域。氧化铝粉体的性能主要包括两部分，一部分是内在性能，包括化学成分与物相组成 ；另一部分为外在性能，包括 α 相转化率、平均粒度、粒度分布、粉体形貌等。这些性能对流延工艺、流延膜片、成瓷性能都将产生不同程度的影响，本文以五种不同批次的氧化铝粉体为原料，经流延成型，获得所需尺寸的陶瓷片，系统研究氧化铝粉体的原始粒度、粒度分布、观形貌等粉体性能，对流延法制备氧化铝陶瓷基片的影响。
19 Aug MORE→
沪公网安备31011802004982